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電気電子工学科 所属教員一覧

松浦 秀治(まつうら ひではる)MATSUURA Hideharu MATSUURA Hideharu

  • 所属部署
    工学部 電気電子工学科 教授
    大学院 工学研究科 電子通信工学専攻 教授
  • 専門分野
    半導体工学、半導体デバイス
  • 研究テーマ
    • 環境に優しい半導体デバイス
      太陽電池(有機薄膜太陽電池の作製と評価)
      X線検出素子の研究・開発(食物中や土壌に含まれる微量有害元素の検出、放射性物質による内部被曝量の推測)
      次世代半導体の電気測定(低炭素社会実現を目指した半導体デバイス)
      半導体の耐放射性の研究(耐放射線性半導体デバイスの実現に向けて)
  • 経歴
    • 学歴
      京都大学 工学部 電子工学科 卒業(1980年)
      京都大学 大学院工学研究科 修士課程修了(1982年)
    • 職歴
      通商産業省 工業技術院 電子技術総合研究所 入所(1982年)
      大阪電気通信大学 工学部 電子工学科 専任講師(1995年)
      大阪電気通信大学 大学院総合電子工学専攻 担当教員(1995年)
      大阪電気通信大学 工学部第1部 電子工学科 助教授(1998年)
      大阪電気通信大学 工学部第1部 電子工学科 教授(2003年)
      大阪電気通信大学 大学院総合電子工学専攻 指導教員(2003年)
      大阪電気通信大学 大学院電子通信工学専攻 指導教員(2006年~現在)
      大阪電気通信大学 工学部 電気電子工学科 教授(2009年~現在)
  • 取得学位
    博士(工学)(1994年)京都大学
  • 受賞、顕彰など
    IEEE Senior Member (2008年~現在)
  • 所属学会
    応用物理学会、電子情報通信学会、IEEE

松浦 秀治(まつうら ひではる)MATSUURA Hideharu

  • 所属部署
    工学部 電気電子工学科 教授
    大学院 工学研究科 電子通信工学専攻 教授
  • 学科・学部・法人の運営
    学校法人大阪電気通信大学 建築学科設立委員会 委員 2016年度
    学校法人大阪電気通信大学 建築学科設立準備委員会 委員 2016年度
    学校法人大阪電気通信大学 施設専門部会(フェーズII)委員 2016年度
    学校法人大阪電気通信大学 マーケティング部会 委員 2016年度
    学校法人大阪電気通信大学 MV2(Mission、Value、Vision)委員会(理事長 諮問機関) 委員長 2015年4月から2016年1月
     Mission|学園の使命・存在意義:「人間力と技術力で人生を楽しめる人材」を育成・輩出します
     Value|育むべき組織文化、価値観:学生・生徒の力を信じ、共に、成長できる場をつくり続けます
     Vision|到達すべき、到達したい将来像:
     【技   術】人間力と技術力を活かし、活躍する人材を輩出する学園としてさらに社会的認識(社会的評価)の輪が広がっています
     【満   足】在学生、卒業生、保護者、教職員がより高い満足感と誇りを持っている学園となっています
     【多 様 性】さまざまな学生・生徒が集い、共に学ぶことのできる包容力のある学園となっています
    学校法人大阪電気通信大学 理事 2015年度・2016年度
    学校法人大阪電気通信大学 評議員 2015年度・2016年度
    工学部長 2015年度・2016年度
    学長代理 2014年9月19日から28日
    工学部長 2013年度・2014年度
    教務部 部長 2012年度
    入試部 部長 2007年度から2010年度
    工学部 電子工学科 主任 2005年度・2006年度
    大学院 工学研究科 総合電子工学専攻 副主任 2004年度

  • 委員会、センター、研究所等の学内組織における活動
    寝屋川キャンパス教務委員会 委員長 2015年度・2016年度
    寝屋川キャンパス予算委員会 副委員長 2015年度・2016年度
    寝屋川キャンパス教務委員会 委員長 2013年度・2014年度(2015年度カリキュラム改訂の検討を含む)
    寝屋川キャンパス予算委員会 副委員長 2013年度・2014年度
    教務委員会 副委員長 2012年度
    教育開発推進センター センター長 2012年度
    大学院広報委員会 委員長 2003年度

  • 本学と外部の産官学機関等との連携活動
    • 企業連携講座(担当)
      ダイセン電子工業連携講座「ロボットを用いた計測・制御実習」(開講:2015年度~現在)
      古谷国際特許事務所連携講座「知的財産権」(開講:2011年度・2014年度~現在)
      パナソニック連携講座「新エネルギー工学」(開講:2012年度・2013年度)
      三洋電気連携講座「新エネルギー工学」(開講:2011年度)
      日本電設工業連携講座「電気鉄道」(開講:2010年度~現在)
      パナソニック連携講座「ホームエレクトロニクス」(開講:2009年度・2010年度)

  • 高大連携、オープンキャンパス、公開講座などの対外的活動
    大阪電気通信大学 公開講座「Panasonic講座-起業工学-」(2011年4月から7月の毎週金曜18時から)
    大阪電気通信大学 エレクトロニクス基礎研究所 第18回シンポジウム「有機エレクトロニクス研究開発の最前線-分子技術からデバイス応用まで-」(2010年12月17日)
    テクノフェア(2009年から年1回)
    大阪電気通信大学 エレクトロニクス基礎研究所 ワークショップ「有害物質規制に対応する蛍光X線検出素子開発」(2007年3月23日)
    大阪電気通信大学 エレクトロニクス基礎研究所 第8回シンポジウム「未来を切り開く半導体デバイスの現状と問題点」(2001年4月24日)

  • その他
    • 本学委嘱状
      職務発明審査委員会 委員 (2015年12月21日)
      エレクトロニクス基礎研究所運営委員会 委員 (2013年4月1日-2017年3月31日)
      職務発明審査委員会 委員 (2013年4月3日)
      図書館新システム検討委員会 委員 (2012年9月11日)
      職務発明審査委員会 委員 (2012年2月17日)
      職務発明審査委員会 委員 (2011年3月7日)
      新カリキュラム策定委員会 委員 (2010年3月10日)

松浦 秀治(まつうら ひではる)MATSUURA Hideharu

  • 所属部署
    工学部 電気電子工学科 教授
    大学院 工学研究科 電子通信工学専攻 教授
  • 学部教育(講義)
    基礎電磁気学・演習(1年次)
    キャリア入門(1年次)
    電気電子工学入門(1年次)
    半導体工学・演習(2年次)
    デジタル電子回路(2年次)
    半導体デバイス(3年次)
    電気電子工学実験3(3年次)
    電気電子連携講座(3年次)
    キャリア設計(3年次)

  • 大学院教育(講義)
    半導体デバイス工学

  • 論文等指導(2017年度現在)
    • 卒業論文等の指導:194名
    • 修士論文等の指導: 27名
    • 博士論文等の指導: 1名
  • テキスト
    「2段階方式で学ぶ わかる電磁気学」 松浦秀治・海老原聡・前川泰之 共著 ムイスリ出版 (ISBN978-4-89641-233-8)
    「絵でわかる半導体工学の基礎」 松浦秀治著 ムイスリ出版 (ISBN978-4-89641-156-0)
  • その他
    リメディアル数学の教育方法の実践研修(FD研修)2013年2月から6月
    松浦秀治, 越川孝範. リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告. 応用物理教育 Vol. 29, No. 2, 2005, pp. 47-52(論文)

松浦 秀治(まつうら ひではる)MATSUURA Hideharu

  • 所属部署
    工学部 電気電子工学科 教授
    大学院 工学研究科 電子通信工学専攻 教授
  • 著書
  1. 松浦秀治, 海老原聡, 前川泰之. 2段階方式で学ぶ わかる電磁気学. ムイスリ出版, 2015, ISBN978-4-89641-233-8
  2. Hideharu Matsuura. Detemination Methods of Densities and Energy Levels of Impurities and Defects Affecting Majority-Carrier Concentration in Next-Generation Semiconductor, in Advanced in Condensed Matter and Materials Research Vol. 10, Chapt. 7. Nova Science Publishers, Inc., 2011, ISBN978-1-61209-533-2
  3. 松浦秀治. 第6章 SiCの評価技術 6.1.3 Hall効果, 半導体SiC技術と応用(第2版). 日刊工業新聞社, 2011, ISBN9784526067549
  4. 松浦秀治. 絵でわかる半導体工学の基礎. ムイスリ出版, 2009, ISBN978-4-89641-156-0
  5. 松浦秀治. 第4章 物性・プロセス評価 4.4 電気的特性評価, SiC素子の基礎と応用. オーム社, 2003, ISDN4-274-94885-4
  6. Hideharu Matsuura and Hideyo Okushi. Electrical properties of amorphous/crystalline-semiconductor heterojunctions, in Amorphous and Micro-crystalline Semiconductor Devices Volume II: Materials and Device Physics, Chapt. 11. Artech House, ISBN 0-89006-379-6, 1992
  7. Hideharu Matsuura. Junction properties of amorphous semiconductors, in Glow-Discharge Hydrogenated Amorphous Silicon. KTK Scientific Publishers, Chapter 10, 1989, ISBN0-7923-0309-1


  • 学術論文・作品など
  1. 松浦秀治. キャリア濃度・移動度測定のコツ, 応用物理, 第85巻, 第7号, 2016, pp. 601-605(解説)
  2. Hideharu Matsuura, Shinya Fukushima, Shungo Sakurai, Shohei Ishikawa, Akinobu Takeshita, and Atsuki Hidaka. Possibility of gated silicon drift detector detecting hard X-ray. Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XVII, edited by Larry Franks, Ralph B. James, Michael Fiederle, Arnold Burger, Proc. of SPIE Vol. 9593, 959317 1-11; SPIE. Optical Engineering + applications, San Diego, USA, August 9-13, 2015 (国際会議プロシーディング)
  3. Hideharu Matsuura, Shungo Sakurai, Yuya Oda, Shinya Fukushima, Shohei Ishikawa,
    Akinobu Takeshita and Atsuki Hidaka. Gated Silicon Drift Detector Fabricated from a Low-Cost Silicon Wafer. Sensors Vol. 15, 2015, pp. 12022-12033(論文)
  4. Hideharu Matsuura. Simulation of 1.5-mm-thick and 15-cm-diameter gated silicon drift X-ray detector operated with a single high-voltage source. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 54, 2015, pp. 044301 1-5(論文)
  5. Hideharu Matsuura, Tatsuya Morine, Shinji Nagamachi. Density and energy level of a deep-level Mg acceptor in 4H-SiC. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 54, 2015, pp. 011301 1-7(論文)
  6. Hideharu Matsuura, Tatsuya Morine, Shinji Nagamachi. Electrical Behavior of Mg in Mg-Implanted 4H-SiC Layer. Acta Physica Polonica A Vol. 125, 2014, pp. 1017-1020 (論文)
  7. Hideharu Matsuura, Tatsuya Mirone, Shinji Nagamachi. Electrical Properties of Mg-Implanted 4H-SiC. Material Science Forum Vols. 778-780, 2014, pp. 685-688(論文)
  8. Hideharu Matsuura, Derek Hullinger, Keith W. Decker. Simulation and Fabrication of Gated Drift X-Ray Detector Operated by Peltier Cooling. Open Electrical & Electronic Engineering Journal Vol. 7, 2013, pp. 1-8 (論文)
  9. Hideharu Matsuura. Simulation of Thick Gated Silicon Drift X-ray Detector Operated by a Single High-Voltage Source. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 52, 2013, pp. 024301 1-5 (論文)
  10. Seiji Nishikawa, Ryota Okada, Hideharu Matsuura. Effects of Sacrificial Oxidation on Characterization of Defects in High-Purity Semi-insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy. Materials Science Forum Vols. 717-720, 2012, pp. 271-274(論文)
  11. Hideharu Matsuura, Derek Hunninger, Ryota Okada, Seigo Kitanoya, Seiji Nishikawa, Keith Decker. Possibilities for Thick, Simple-Structure Silicon X-Ray Detectors Operating by Peltier Cooling. Key Engineering Materials Vol. 495, 2012, pp. 294-297 (論文)
  12. Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima. Reduction in Majority-Carrier Concentration in Lightly-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiation. Materials Science Forum Vols. 679-680, 2011, pp. 181-184 (論文)
  13. Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Yoshiko Myojin, Yukei Matsuyama, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima. Reduction of Electron Concentration in Lightly N-Doped n-Type 4H-SiC Epilayers by 200 keV Electron Irradiation. Open Applied Physics Journal Vol. 4, 2011, pp. 37-40 (論文)
  14. Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima. Reduction in Majority-Carrier Concentration in N-Doped or Al-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiation. Proceedings of 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Takasaki, Japan, Oct. 27-29, 2010, pp. 89-91 (国際会議プロシーディングス)
  15. 松浦秀治, 高橋美雪, 小原一徳, 山本和代, 前田健寿, 加川義隆. X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化. 電子情報通信学会論文誌 C Vol. J93-C, No. 9, 2010, pp. 303-310 (論文)
  16. Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Yoshiko Myojin, Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, Takashi Ohshima. Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing. Physica B Vol. 404, 2009, pp. 4755-4757 (論文)
  17. Hideharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Yoshitaka Kagawa, Shoichi Tano, Takayuki Miyake. Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy. Materials Science Forum Vols. 615-617, 2009, pp. 385-388 (論文)
  18. Miyuki Takahashi and Hideharu Matsuura. Characteristics of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy. Materials Science Forum Vols. 600-603, 2009, pp. 393-396. (論文)
  19. Hideharu Matsuura, Yoshitaka Kagawa Miyuki Takahashi, Shoichi Tano, Takayuki Miyake. Effect of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC on Reverse Current-Voltage Characteristics of Schottky Barrier Diodes. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 48, 2009, pp.056504 1-4 (論文)
  20. Hideharu Matsuura, Nobumasa Minohara, Takeshi Ohshima. Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation. J. Appl. Phys. Vol. 104, 2008, pp. 043702 1-6 (論文)
  21. Hideharu Matsuura, Hirokazu Yanase, Miyuki Takahashi. Characterization of Intrinsic Defects in High-Purity High-Resistivity p-Type 6H-SiC. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 47, 2008, pp. 7052-7055 (論文)
  22. Hideharu Matsuura, Keisuke Izawa, Nobumasa Minohara, Takeshi Ohshima. Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-Type 6H-SiC by 1 MeV Electron Irradiation. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 47, 2008, pp. 5355-5357 (論文)
  23. Hideharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Shunji Nagata, Kazuo Taniguchi. Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI<sub>2</sub>: application of discharge current transient spectroscopy. J. Materials Science: Materials in Electronics Vol. 19, 2008, pp. 810-814 (論文)
  24. Hideharu Matsuura. A graphical peak analysis method for characterizing impurities in SiC, GaN and diamond form temperature-dependent majority-carrier concentration. J. Materials Science: Materials in Electronics Vol. 19, 2008, pp. 720-726 (論文)
  25. Hideharu Matsuura, N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, T. Ohshima, H. Itoh. Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons. Materials Science Forum Vols. 556-557, 2007, pp. 379-382 (論文)
  26. Hideharu Matsuura. Influence of excited states of a deep substitutional dopant on majority-carrier concentration in semiconductors. Physical Review B vol. 74, 2006, pp. 245216 1-8 (論文)
  27. Hideharu Matsuura, Tatsuya Morizono, Yuuki Inoue, Sou Kagamihara, Akihiko Namba, Takahiro Imai, Toshihiko Takebe. Accurate Determination of Density and Energy Level of B Acceptor in Diamond from Temperature Dependence of Hole Concentration. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45, 2006, pp. 6376-6378 (論文)
  28. Hideharu Matsuura, Kazuhiro Nishikawa, Masaharu Segawa, Wataru Susaki. Accurate Determination of Acceptor Densities and Energy Levels in Undoped InGaSb from Temperature Dependence of Hole Concentration. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45, 2006, pp. 6373-6375 (論文)
  29. H. Matsuura, Hirofumi Iwata, Sou Kagamihara, Ryohei Ishihara, Masahiko Komeda, Hideaki Imai, Masanori Kikuta, Yuuki Inoue, Tadashi Hisamatsu, Shirou Kawakita, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh. Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45, 2006, pp. 2648-2655 (論文)
  30. Hideharu Matsuura, Sou Kagamihara, Yuji Itoh, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh. Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC. Physica B Vols. 376-377,2006, pp. 342-345 (論文)
  31. Hideharu Matsuura, Sou Kagamihara, Yuji Itoh, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh. Mechanisms of reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation. Microelectronic Engineering Vol. 83, 2006, 17-19 (論文)
  32. 松浦秀治, 越川孝範. リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告. 応用物理教育 Vol. 29, No. 2, 2005, pp. 47-52(論文)
  33. Hideharu Matsuura and Kazuhiro Nishikawa. Ionization of deep Te donor in Te-doped Al<sub>0.6</sub>Ga<sub>0.4</sub>Sb epilayers. J. Appl. Phys. Vol. 97, 2005, pp. 093711 1-7 (論文)
  34. Hideharu Matsuura, Enhancement of ionization efficiency of acceptors by their excited states in heavily doped wide bandgap semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 184, 2005, pp. 329-332 (Proceeding)
  35. Hideharu Matsuura, Hiroyuki Nagasawa, Kuniaki Yagi, Takamitsu Kawahara. Determination of densities and energy levels of donors in free-standing undoped 3C-SiC epilayers with thicknesses of 80 um. J. Appl. Phys. Vol. 96, 2004, pp. 7346-7351 (論文)
  36. Sou Kagamihara, Hideharu Matsuura, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Mitsuhiro Kushibe, Takashi Shinohe, Kazuo Arai. Parameters required to simulate electric characteristics of SiC devices for n-type 4H-SiC. J. Appl. Phys. Vol. 96, 2004, pp. 5601-5606 (論文)
  37. Hideharu Matsuura, Masahiko Komeda, Sou Kagamihara, Hirofumi Iwata, Ryohei Ishihara, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Kazutoshi Kojima, Takashi Shinohe, Kazuo Arai. Dependence of acceptor levels and hole mobility on acceptor density and temperature in Al-doped p-type 4H-SiC epilayers. J. Appl. Phys. Vol. 96, 2004, pp. 2708-2715 (論文)
  38. Hideharu Matsuura. Investigation of a distribution function suitable for acceptors in SiC. J. Appl. Phys. Vol. 95, 2004, pp. 4213-4218 (論文)
  39. Hideharu Matsuura, Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by their Excited States in Heavily Doped p-Type GaN and Wide Bandgap Semiconductors. Electrochemical Society Proceedings Vol. 2004-06, 2004, pp. 570-581 (Proceeding)
  40. H. Matsuura, K. Aso, S. Kagamihara, H. Iwata, T. Ishida, and K. Nishikawa. Reduction in Al Acceptor Density by Electron Irradiation in Al-doped 4H-SiC. Materials Science Forum Vols. 457-460, 2004, pp. 751-754(論文)
  41. H. Matsuura, D. Katsuya, T. Ishida, S. Kagamihara, K. Aso, H. Iwata, T. Aki, S.-W. Kim, T. Shibata, T. Suzuki, Influence of excited states of Mg acceptors on hole concentration in GaN. phys. stat. sol. (c) Vol. 0, 2003, pp. 2214-2218 (論文)
  42. H. Matsuura, T. Ishida, K. Nishikawa, N. Fukunaga, T. Kuroda, Dependence of Hole Concentration in p-Type Silicon Solar Cell Wafers on Temperature and on Position within the Polycrystalline Ingot. Solid State Phenomena 93, 2003, pp.141-146 (論文)
  43. Hideharu Matsuura, K. Sugiyama, K. Nishikawa, T. Nagata, and N. Fukunaga. Occupation probability for acceptor in Al-implanted p-type 4H-SiC. J. Appl. Phys. Vol. 94, 2003, pp. 2234-2241 (論文)
  44. Hideharu Matsuura, K. Aso, S. Kagamihara, H. Iwata, T. Ishida, and K. Nishikawa. Decrease in Al acceptor density in Al-doped 4H-SiC by irradiation with 4.6 MeV electrons. Appl. Phys. Lett. Vol. 83, 2003, pp. 4981-4983 (論文)
  45. Hideharu Matsuura, Takuya Ishida, T. Kirihataya, O. Anzawa and S. Matsuda. Annealing Behavior of Donorlike Defects Induced by High-Fluence Irradiation of High-Energy Particles on p-Type Silicon. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42, 2003, pp. 5187-5188 (論文)
  46. H. Matsuura, K. Sugiyama, K. Nishikawa, T. Nagata, N. Fukunaga, Real Relationship between Acceptor Density and Hole Concentration in Al-Implanted 4H-SiC. Materials Science Forum 433-436, 2003, pp. 447-450 (論文)
  47. H. Matsuura, Influence of Excited States of Deep Acceptors on Hole Concentrations in SiC. Materials Science Forum 389-393, 2002, pp.679-682 (論文)
  48. Hideharu Matsuura. The influence of excited states of deep dopants on majority-carrier concentration in a wide-bandgap semiconductor. New J. Phys. Vol. 4, 2002, pp. 12 1-15 (論文)
  49. Hideharu Matsuura, K. Morita, K. Nishikawa, T. Mizukoshi, M. Segawa and W. Susaki. Acceptor Densities and Acceptor Levels in Undoped GaSb Determined by Free Carrier Concentration Spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41, 2002, pp. 496-500 (論文)
  50. Hideharu Matsuura, T. Hase, Y. Sekimoto, M. Uchikura and M. Shimizu. A Graphical Peak Analysis Method for Determining Densities and Emission Rates of Traps in Dielectric Film from Transient Discharge Current. J. Appl. Phys. Vol. 91, 2002, pp. 2085-2092 (論文)
  51. H. Matsuura, Y. Masuda, Y. Chen, S. Nishino, Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Determineb by a New Method Based on Hall-Effect Measurements. Materials Science Forum 353-356, 2001, pp. 495-498 (論文)
  52. Hideharu Matsuura, Y. Masuda, Y. Chen, and S. Nishino. Determination of Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Grown from Si<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>)<sub>6</sub> Using Hall-Effect Measurements. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, 2000, pp. 5069-5075 (論文)
  53. Hideharu Matsuura. Calculation of band bending in ferroelectric semiconductor. New J. Phys. Vol. 2, 2000, pp. 8 1-11 (論文)
  54. Hideharu Matsuura, Y. Uchida, N. Nagai, T. Hisamatsu, T. Aburaya and S. Matsuda. Temperature dependence of electron concentration in type-converted silicon by 1x10<sup>17</sup> cm<sup>-2</sup>-fluence irradiation of 1-MeV electrons. Appl. Phys. Lett. Vol. 76, 2000, pp. 2092-2094 (論文)
  55. Hideharu Matsuura, K. Segawa and T. Ebisui. Difference between Traps Determined from Transient Capacitance and Transient Reverse Current. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, 2000, pp. 2714-2715 (論文)
  56. Hideharu Matsuura and K. Segawa. Investigation of Transient Reverse Currents in X-Ray detector Pin Diodes by Discharge Current Transient Spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, 2000, pp. 178-179 (論文)
  57. Hideharu Matsuura. An improved method for determining densities and energy levels of dopants and traps by means of Hall-effect measurement. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38, 1999, pp. 5176-5177 (論文)
  58. Hideharu Matsuura, T. Kimoto and H. Matsunami. Nitrogen donor concentrations and its energy levels in 4H-SiC uniquely determined by a new graphical method based in Hall-effect measurement. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38, 1999, pp. 4013-4016 (論文)
  59. Hideharu Matsuura, K. Akatani, M. Ueda, K. Segawa, H. Tomozawa, K. Nishida and K. Taniguchi. A New n-channel junction field-effect transistor embedded in the i layer of a pin diode. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38, 1999, pp. L1015-L1017 (論文)
  60. Hideharu Matsuura, Y. Uchida, T. Hisamatsu and S. Matsuda. Evaluation of hole traps in 10-MeV proton-irradiated p-type silicon from Hall-effect measurements. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37, 1998, pp. 6034-6040 (論文)
  61. Hideharu Matsuura and K. Nishida. A new structure of an n-channel junction field-effect transistor embedded in a pin diode for an X-ray detector. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37, 1998, pp. L115-L118 (論文)
  62. Hideharu Matsuura. A simple graphical method for evaluating the polarization and relaxation times of dipoles or densities and energy levels of traps in a dielectric film from transient discharge current. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36, 1997, pp. 3569-3575 (論文)
  63. Hideharu Matsuura. A simple graphical method for determining densities and energy levels of donors and acceptors in semiconductor from temperature dependence of majority carrier concentration. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36, 1997, pp. 3541-3547 (論文)
  64. 松浦秀治, 園井量英. 多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法. 電子情報通信学会論文誌 C Vol. J80-C-II, No. 3, 1997, pp. 95-100(論文)
  65. Hideharu Matsuura. Evaluating densities and energy levels of impurities with close energy levels in semiconductor from temperature dependence of majority-carrier concentration. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, 1996, pp. 5680-5681 (論文)
  66. Hideharu Matsuura. Evaluation of densities and energy levels of donors and acceptors in compensated semiconductor from temperature dependence of majority carrier concentration. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, 1996, pp. 5297-5298 (論文)
  67. Hideharu Matsuura. Evaluating polarization in dielectrics with continuously distributed dipole relaxation time by discharge current transient spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, 1996, pp. 4711-4712 (論文)
  68. Hideharu Matsuura, M. Yoshimoto and H. Matsunami. Interface electronic properties between silicon and silicon nitride deposited by direct photochemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, 1996, pp. 2614-2618 (論文)
  69. Hideharu Matsuura. A simple graphical method for evaluating dipole relaxation time in dielectric. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, 1996, pp. 2216-2217(論文)
  70. Hideharu Matsuura and K. Sonoi. A simple graphic method for evaluating densities and energy levels of impurities in semiconductor from temperature dependence of majority-carrier concentration. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35, 1996, pp. L555-L557 (論文)
  71. Hideharu Matsuura, M. Yoshimoto and H. Matsunami. Increase of leakage current and trap densities caused by bias stress in silicon nitride prepared by photo-chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 34, 1995. pp. L371-L374 (論文)
  72. Hideharu Matsuura, M. Yoshimoto and H. Matsunami. Discharging current transient spectroscopy for evaluating traps in insulators. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 34, 1995, pp. L185-L187 (論文)
  73. Hideharu Matsuura. Simulation of high-frequency capacitance-voltage characteristics of amorphous/crystalline heterojunctions. J. Appl. Phys. Vol. 68, 1990, pp. 1138-1142 (論文)
  74. Hideharu Matsuura, Optically and thermally induced reversible changes of midgap states in undoped a-Si:H. J. Non-Cryst. Solids 114, 1989, pp.609-611 (論文)
  75. Hideharu Matsuura, Z E. Smith, A. Matsuda, S. Yokoyama, M. Tanaka, M. Ueda and K. Tanaka. Midgap-state profiles in undoped amorphous-silicon-based alloys. Phil. Mag. Lett. Vol. 59, 1989, pp. 109-114 (論文)
  76. Hideharu Matsuura. Hydrogenated amorphous-silicon/crystalline-silicon heterojunctions: Properties and Applications. IEEE Trans. Vol. ED-36, 1989, pp. 2908-2914(論文)
  77. Jerome Perrin, Y. Takeda, N. Hirano, Hideharu Matsuura, and A. Matsuda. Effect of ion bombardment on the growth and properties of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28, 1989, pp. 5-11 (論文)
  78. Hideharu Matsuura. Thermal recovery process of the midgap-state profile of light-soaked undoped hydrogenated amorphous silicon. Appl. Phys. Lett. Vol. 54, 1989, pp. 344-346 (論文)
  79. Hideharu Matsuura. Density-of-state distribution for undoped a-Si:H and a-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>:H determined by transient heterojunction-monitored capacitance method. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 27, 1988, pp. L516-L518 (論文)
  80. Hideharu Matsuura. Density of mid-gap states for undoped a-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>:H and a-Si:H determined by steady-state heterojunction-monitored capacitance method. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 27, 1988, pp. L513-L515 (論文)
  81. Hideharu Matsuura. A novel method for determining the gap-state profile and its application to amorphous Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>:H films. J. Appl. Phys. Vol. 64, 1988, pp. 1964-1973 (論文)
  82. Hideharu Matsuura, Kazunobu Tanaka, The density-of-state distribution in undoped a-Si:H and a-SiGe:H determined by heterojunctions with c-Si. Meter. Res. Soc. Symp. Proc. 118,1988, pp. 647-652 (Proceeding)
  83. Hideharu Matsuura and H. Okushi. Schottky barrier junctions of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys. J. Appl. Phys. Vol. 62, 1987, pp. 2871-2879(論文)
  84. Hideharu Matsuura, Hideyo Okushi, Kazunobu Tanaka, Schottky barrier junctions of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys. J. Non-Cryst. Solids 97&98, 1987, pp. 963-966 (論文)
  85. A. Matsuda, T. Yamaoka, S. Wolff, M. Koyama, Y. Imanishi, H. Kataoka, Hideharu Matsuura, and K. Tanaka. Preparation of highly photosensitive hydrogenated amorphous Si-C alloys from a glow-discharge plasma. J. Appl. Phys. Vol. 60, 1986, pp. 4025-4027 (論文)
  86. Hideharu Matsuura, A. Matsuda, H. Okushi, and K. Tanaka. Dark current transport mechanism of p-i-n hydrogenated amorphous silicon diodes. J. Appl. Phys. Vol. 58, 1985, pp. 1578-1583 (論文)
  87. Hideharu Matsuura, A. Matsuda, H. Okushi, T. Okuno, and K. Tanaka. Metal-semiconductor junctions and amorphous-crystalline heterojunctions using B-doped hydrogenated amorphous silicon. Appl. Phys. Lett. Vol. 45, 1984, pp. 433-435 (論文)
  88. Hideharu Matsuura, T. Okuno, H. Okushi, and K. Tanaka. Electrical properties of n-amorphous/p-crystalline silicon heterojunctions. J. Appl. Phys. Vol. 55, 1984, pp. 1012-1019 (論文)
  89. Hideharu Matsuura, T. Okuno, H. Okushi, S. Yamasaki, A. Matsuda, N. Hata, H. Oheda, and K. Tanaka. Ohmic contact properties of magnesium evaporated onto undoped and P-doped a-Si:H. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 22, 1983, pp. L197-L199 (論文)
  90. Hideharu Matsuura, Tetsuhiro Okuno, Hideyo Okushi, Nobuhiro Hata, Satoshi Yamasaki, Hidetoshi Oheda, Akihisa Matsuda, Kazunobu Tanaka, Electrical properties of n--p amorphous-crystalline silicon hetero-junctions. Ext. Abs. 15th Conf. Solid State Devices & Materials, 1983, pp. 185-188 (Proceeding)
  91. Hideharu Matsuura, Hisao Fujii, Hitoshi Takai, Hiroyuki Matsunami, Characteristics of silicon inversion layer solar cells.
    Jpn. J. Appl. Phys. 21 Suppl. 21-2, 1982, pp. 117-120 (論文)
  92. Hideharu Matsuura, Shigehiro Nishino, Hiroyuki Matsunami,Fundamental properties of MIS solar cells using Mg-p Si system.
    Jpn. J. Appl. Phys. 20 Suppl. 20-2, 1981, pp. 51-55 (論文)

  • 国際会議、国内会議、発表会、コンクールなど
  1. 竹下明伸,今村辰哉,高野晃大,奥田和也,松浦秀治,紀世陽,江藤数馬,児島一聡,加藤智久,吉田貞史,奥村元. 高濃度Alドープ4H-SiCの伝導機構の評価と低抵抗率化の可能性. 第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、2017年3月14日~17日
  2. 竹下明伸,今村辰哉,高野晃大,奥田和也,松浦秀治,紀世陽,三谷 武志,江藤数馬,児島一聡,加藤智久,吉田貞史,奥村元. 各種作製法によるAl-Nコドープ4H-SiCの電気的特性の評価. 第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、2017年3月14日~17日
  3. 竹下明伸,今村辰哉,高野晃大,奥田和也,松浦秀治,紀世陽,江藤数馬,児島一聡,加藤智久,吉田貞史,奥村元. 高濃度Alドープ4H-SiCのHall効果測定におけるホール電圧の反転現象. 第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、2017年3月14日~17日
  4. 竹下明伸,今村辰哉,高野晃大,奥田和也,松浦秀治,紀世陽,江藤数馬,児島一聡,加藤智久,吉田貞史,奥村元. 高濃度Alドープ4H-SiCの伝導機構~抵抗率のドープ量・温度依存性評価~. 先進パワー半導体分科会第3回講演会、つくば国際会議場、2016年11月8日・9日
  5. 高野晃大,竹下明伸,今村辰哉,奥田和也,松浦秀治,紀世陽,江藤数馬,児島一聡,加藤智久,吉田貞史,奥村元. Hall測定による高濃度Alドープ4H-SiCの電気特性評価. 先進パワー半導体分科会第3回講演会、つくば国際会議場、2016年11月8日・9日
  6. 今村辰哉,竹下明伸,高野晃大,奥田和也,松浦秀治,紀世陽,江藤数馬,児島一聡,加藤智久,吉田貞史,奥村元. アルミニウムと窒素をコドープしたp型4H-SiCの電気的特性評価. 先進パワー半導体分科会第3回講演会、つくば国際会議場、2016年11月8日・9日
  7. 石川翔平、福島慎也、櫻井俊伍、小田裕也、竹下明伸、日高淳輝、松浦秀治.厚膜化gated Silicon drift Detectorの有効面積の拡大.第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日~22日
  8. 竹下明伸、櫻井俊伍、小田裕也、福島慎也、石川翔平、日高淳輝、松浦秀治.低抵抗率基板を用いたGated Silicon Drift Detectorの厚膜化と受光面積の拡大.第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学大岡山キャンパス、2016年3月19日~22日
  9. Shohei Ishikawa, Shinya Fukushima, Shungo Sakurai, Yuya Oda, Akinobu Takeshita, Atsuki Hidaka, and Hideharu Matsuura. Simulation of 2.5-mm-thick gated silicon drift detector. International Symposium on Radiation Detectors and Thier Users (ISRD-2016), Tsukuba, Japan, January 18-21 2016.
  10. Akinobu Takeshita, Shungo Sakurai, Yuya Oda, Shinya Fukushima, Shohei Ishikawa, Atsuki Hidaka, and Hideharu Matsuura. Inexpensive Gated Silicon Drift Detector Using Low Resistivity Silicon Wafer. International Symposium on Radiation Detectors and Thier Users (ISRD-2016), Tsukuba, Japan, January 18-21 2016.
  11. 鍔優、松浦秀治、逆型有機薄膜太陽電池の経年劣化に関して(G6-16).平成27年電気関係学会関西支部連合大会、摂南大学 2015年11月14日.
  12. 松浦 秀治、Hullinger Derek、Decker Keith.0.625 mm 厚のGated Silicon Drift Detector のシミュレーションと試作. 第76回応用物理学会秋期学術講演会、名古屋国際会議場、2015年9月13日~16日.
  13. 竹下 明伸、櫻井 俊伍、小田 裕也、福島 慎也、石川 翔平、日高 敦輝、松浦 秀治.低抵抗率基盤を用いた Gated Silicon Drift Detector のシミュレーション.第76回応用物理学会秋期学術講演会、名古屋国際会議場、2015年9月13日~16日
  14. 石川 翔平、福島 慎也、櫻井 俊伍、小田 祐也、竹下 明伸、日高 淳輝、松浦 秀治.厚膜化Gated Silicon Drift Detector のシミュレーション.第76回応用物理学会秋期学術講演会、名古屋国際会議場、2015年9月13日~16日.
  15. Hideharu Matsuura, Shinya Fukushima, Shungo Sakurai, Shohei Ishikawa, Akinobu Takeshita, and Atsuki Hidaka. Possibility of gated silicon drift detector detecting hard X-ray. SPIE Optical Engineering plus Applications, Hard X-ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XVII Conference, San Diego, USA, August 9-13 2015.
  16. Hideharu Matsuura. Possibility of 1.5-mm-thick, 6-inch-diameter Gated Silicon Drift X-ray Detector. BIT's 4th Annual Conference and EXPO of AnalytiX-2015, Nanjing, China, April 25-28, 2015.
  17. Hideharu Matsuura. Accurate Determination of Densities and Energy Levels of Impurities and Defects Affecting Majority-Carrier Concentration in Semiconductors from Hall-effect Measurements. BIT's 3rd Annual World Congress of Advanced Materials-2014, Chongqing, China, June 6-9, 2014.
  18. Hideharu Matsuura, Tatsuya Morine, and Shinji Nagamachi. Electrical Properties of Mg-Implanted 4H-SiC. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Miyazaki, Japan, September 29- October 4, 2013
  19. Hideharu Matsuura, Tatsuya Morine, and Shinji Nagamachi. Electrical Behavior of Mg in Mg-Implanted 4H-SiC Layer. 15th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XV), Warsaw, Poland, September 15-19, 2013
  20. 森根達也、村田耕司、飯田宏明、笠井章史、松浦秀治、長町信治.4H-SiCへのMgのイオン注入と注入層の評価.第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、2013年3月27日~30日
  21. 岡田亮太、松谷一輝、松浦秀治. 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2012-126)2012年12月7日
  22. 村田耕司、森根達也、松浦秀治、小野田忍、大島武. 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2012-117)2012年12月7日
  23. 村田耕司、森根達也、松浦秀治、小野田忍、大島武. 電子線照射によるSiCの正孔の散乱機構の変化. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会, 大阪市中央公会堂 2012年11月19日-20日
  24. 岡田亮太、西川祐二郎、松浦秀治.低価格X線検出素子(Silicon Drift Detector)構造の提案.第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、2012年9月11日~14日
  25. 村田耕司、松浦秀治、小野田忍、大島武.電子線照射によるSiCの散乱機構の変化.第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、2012年9月11日~14日
  26. Hideharu Matsuura, Derek Hunninger, Ryota Okada, and Keith Decker. Possibilities for Thick, Simple-structure X-ray Detectors Operated by Peltier Cooling and One High Voltage Bias. BIT's 1st Annual Conference and Expo of AnalytiX-2012, Beijin, Chaina, March 23-25, 2012 (Invited)
  27. 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治. 犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放電電流過渡分光法による欠陥評価. 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学早稲田キャンパス 2012年3月15日~18日
  28. 岡田亮太、西川誠二、松浦秀治. SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2011-144)2011年12月16日
  29. 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治. 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2011-136)2011年12月16日
  30. 藤井崇裕、中尾翔、中尾一亮、安田達哉、松浦秀治. 高分子系有機薄膜太陽電池の作製と評価 (29A1-10). 平成23年電気関係学会関西支部連合大会, 兵庫県立大学 2011年10月29日
  31. 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治. 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放出割合の温度依存性. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会, 愛知県産業労働センター 2011年12月8日-9日
  32. Seiji Nishikawa, Ryota Okada, and Hideharu Matsuura. Effects of Sacrifical Oxidatin on Characterization of Defects in Hi-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy. International Conference on SiC and Related Materials 2011, Cleveland, Ohio, USA, September 11-16, 2011
  33. 西川誠二、岡田亮太、松浦秀治. 犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放電電流過渡分光法を用いた放出割合の温度依存性. 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学 2011年8月29日から9月2日
  34. 岡田亮太、西川誠二、松浦秀治. SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減した新たなX線検出素子の提案. 第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学 2011年8月29日から9月2日
  35. Hideharu Matsuura, Derek Hullinger, Ryota Okada, Seigo Kitanoya, Seiji Nishikawa, and Keith Decker. Possibilities for Thick, Simple-Structure Silicon X-Ray Detectors Operating by Peltier Cooling. International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers, Kos Island, Greece, May 13-17, 2011
  36. 北野谷征吾、西川誠二、松浦秀治. X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化. 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学 2011年3月24日から27日
  37. 西川誠二、北野谷征吾、松浦秀治. 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果. 第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学 2011年3月24日から27日
  38. 野尻琢慎、西野公三、柳澤英樹、松浦秀治、小野田忍、大島武. 200 keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2010-195)2010年12月
  39. 西川誠二、北野谷征吾、松浦秀治. 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2010-194)2010年12月
  40. 北野谷征吾、西川誠二、松浦秀治. X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2010-186)2010年12月
  41. Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Takunori Nojiri, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima. Reduction in Majority-Carrier Concentration in N-Doped or Al-Doped 4H-SiC Epilayers by Electron Irradiation. Proceedings of 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Takashaki, Japan, Oct. 27-29, 2010
  42. 北野谷征吾、西川誠二、松浦秀治. X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化. 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学 2010年9月14日から17日
  43. 野尻琢慎、西野公三、柳澤英樹、松浦秀治、小野田忍、大島武. 200 keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の耐放射線性. 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学 2010年9月14日から17日
  44. H. Matsuura, H. Yanagisawa, K. Nishino, T. Nojiri, S. Onoda, T. Ohshima. Reduction in Majority-Carrier Concentration in Lightly-Doped 4H-SiC epilayers by Electron Irradiation. The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM8th), Oslo, Norway, August 29-September 2
  45. 北野谷征吾、三宅貴之、松浦秀治. シミュレーションによるX線検出素子(Silicon Drift Detector)の評価. 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 湘南キャンパス 2010年3月17日から20日
  46. 野尻琢慎、西野公三、柳澤英樹、松浦秀治、小野田忍、大島武. 電子線照射によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中の原子変位閾値エネルギーの検討. 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 湘南キャンパス 2010年3月17日から20日
  47. 柳澤英樹、西野公三、松浦秀治、小野田忍、大島武. 電子線照射とアニールによるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化. 第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学 湘南キャンパス 2010年3月17日から20日
  48. 北野谷征吾、三宅貴之、谷口征大、松浦秀治. X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2009-160)2009年12月4日
  49. 西野公三、柳澤英樹、野尻琢慎、松浦秀治、大島武. 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプア密度減少について. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2009-155)2009年12月4日
  50. 柳澤英樹、西野公三、野尻琢慎、松浦秀治、大島武. 200 keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2009-154)2009年12月4日
  51. 野尻琢慎、柳澤英樹、明神善子、松浦秀治、大島武. 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2009-153)2009年12月4日
  52. 西野公三、柳澤英樹、野尻琢慎、松浦秀治、小野田忍、大島武. C原子変位により生じるAl-doped 4H-SiCのアクセプタ密度の変化について. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会, 神戸国際会議場 2009年12月17日-18日
  53. 柳澤英樹、西野公三、野尻琢慎、松浦秀治、小野田忍、大島武. 100 keV電子線照射とアニールによるAl-doped 6H-SiCエピ膜中の正孔密度の増加. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会, 神戸国際会議場 2009年12月17日-18日
  54. 北野谷征吾、松浦秀治、三宅貴之、谷口征大. X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化. 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学 2009年9月8日から11日
  55. 西野公三、蓑原伸正、松浦秀治、大島武. 電子線照射によるSiC結晶中の原子変位閾値エネルギーの検討. 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学 2009年9月8日から11日
  56. 柳澤英樹、西野公三、松浦秀治、大島武. 100 keV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化. 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学 2009年9月8日から11日
  57. Hideharu Matsuura, Hideki Yanagisawa, Kozo Nishino, Yoshiko Myojin, Takunori Nojiri, Yukei Matsuyama, and Takeshi Ohshima. Mechanisms of changes of hole concentration in Al-doped 6H-SiC by electron irradiation and annealing. The 25th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS25), St. Peterburg, Russia, July 20-24, 2009
  58. 松浦秀治、高橋美雪、小原一徳、山本和代、前田健寿、加川義隆. X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2008-185)2008年12月5日
  59. 松浦秀治. 個別討論会報告「シミュレーション技術のSiCへの応用」. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日-9日
  60. 三宅貴之、田野翔一、松浦秀治. DCTS法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日-9日
  61. 西野公三、蓑原伸正、柳澤英樹、松浦秀治、大島武. 電子線照射により生じるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の減少機構. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日-9日
  62. 柳澤英樹、伊澤圭亮、西野公三、松浦秀治、大島武. 200 keV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度の変化. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第17回講演会, 大田区産業プラザ 2008年12月8日-9日
  63. Hideharu Matsuura, Miyuki Takahashi, Yoshitaka Kagawa, Shoichi Tano, and Takayuki Miyake. Determination of Intrinsic Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy. 7th European Conference on SiC and Related Materials 2008, Barcelona, Spain, September7-11, 2008
  64. 三宅貴之、田野翔一、加川義隆、高橋美雪、松浦秀治. DCTS法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価. 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学 2008年9月2日から5日
  65. 西野公三、蓑原伸正、松浦秀治、大島武. 電子線照射により生じるAl-doped 4H-SiCのC原子変位によるアクセプタ密度減少の検証. 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学 2008年9月2日から5日
  66. 田野翔一、高橋美雪、加川義隆、三宅貴之、松浦秀治. 高純度半絶縁性4H-SiCを用いたダイオードの電流-電圧特性. 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学 2008年9月2日から5日
  67. 蓑原伸正、稲川祐介、高橋美雪、松浦秀治, 大島武, 伊藤久義. 200 keV電子線照射におけるAl-doped 4H-SiCエピ膜の耐放射線性. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会, 愛知県女性総合センター(ウィルあいち)2007年11月29日-30日
  68. 高橋美雪、松浦秀治. 放電電流過渡分光法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会, 愛知県女性総合センター(ウィルあいち)2007年11月29日-30日
  69. 松浦秀治. Hall測定によるワイドギャップ半導体中の不純物の評価第12回結晶工学セミナー(結晶工学スクール応用編)「電気・光学測定技術の基礎と応用」-ワイドバンドギャップ半導体編-, 学習院創立百周年記念会館 2007年10月4日 (招待講演)
  70. H. Matsuura, M. Takahashi. Possibility of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Being Used as Portable X-Ray Detector Operating at Room Temperature. International Conference on SiC and Related Materials 2007, Otsu, Siga, Japan, October 15-19, 2007
  71. M. Takahashi, H. Matsuura. Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy. International Conference on SiC and Related Materials 2007, Otsu, Siga, Japan, October 15-19, 2007
  72. 高橋美雪、前田健寿、山本和代、 松浦秀治. 高純度半絶縁性4H-SiCを用いた室温動作可能なX線検出素子の可能性. 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学 2007年9月6日
  73. 蓑原伸正,  稲川祐介, 高橋美雪、 松浦秀治, 大島武, 伊藤久義. 200 keV電子線照射実験からのAl-doped 4H-SiCエピ膜中の深いアクセプタの起源の考察. 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学 2007年9月5日
  74. 井澤圭亮, 蓑原伸正, 外館憲、 松浦秀治, 大島武, 伊藤久義. 1MeV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCの正孔密度とアクセプタ密度の変化. 第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学 2007年9月5日
  75. H. Matsuura, N. Minohara, T. Morizono, A. Sotodate, T. Takebe, H. Umezawa, and S. Shikata. A graphical peak analysis method for characterizing impurities in diamond from temperature-dependent majority-carrier concentration. 1st International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2007), Osaka, Japan, May 28-31, 2007
  76. H. Matsuura. A graphical peak analysis method for characterizing impurities in SiC, GaN and diamond from Temperature-dependent majority-carrier concentration. 14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV 2007), Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
  77. H. Matsuura, M. Takahashi, S. Nagata, and K. Taniguchi. Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI2: application of discharge Current transient spectroscopy. 14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV 2007), Feyatteville, Arkansas, USA, May 15-20, 2007
  78. 飯田時由、仲野雅都、 松浦秀治. 異なる粒子径を用いたZnOの焼成温度に関する研究 (G7-7)平成18年度電気関係学会関西支部連合大会, 大阪工業大学 枚方キャンパス 2006年11月25日
  79. 松浦秀治、蓑原伸正、高橋美雪、大島武、伊藤久義. p型4H-SiCの耐放射線性. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第15回講演会, 高崎シティーギャラリー 2006年11月9日ー10日
  80. H. Matsuura, N. Minohara, M. Takahashi, T. Ohshima, and H. Itoh. Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons. 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Takasaki, Japan, October 16-18, 2006
  81. H. Matsuura, S. Kawakita, T. Ohshima, and H. Itoh. Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells. 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Takasaki, Japan, October 16-18, 2006
  82. N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, H. Matsuura, T. Ohshima, and H. Itoh. Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons. 2nd International Student Conference at Ibaraki University, Ibaraki, Japan, October 5-6, 2006
  83. H. Matsuura, N. Minohara, Y. Inagawa, M. Takahashi, T. Ohshima, and H. Itoh. Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons. 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2006), Newcastle upon Nyne, UK, September 3-7, 2006
  84. 蓑原伸正、稲川祐介、高橋美雪、松浦秀治、大島武、伊藤久義. Al-doped 4H-SiCエピ膜中の正孔密度の200 keV電子線照射量依存性. 第67回応用物理学会学術講演会、2006年秋, 立命館大学(草津) 2006年8月29日-9月1日
  85. 松浦秀治、蓑原伸正、稲川祐介、鏡原聡、伊藤裕司、大島武、伊藤久義. 電子線照射によるAl-doped 4H-SiC中の正孔密度減少のメカニズム解明. 第1回高崎量子応用研究シンポジウム, 高崎シティーギャラリー 2006年6月27日・28日
  86. 松浦秀治、鏡原聡、伊藤裕司、大島武、伊藤久義. Al-doped 4H-SiCエピ膜の正孔密度減少の電子線照射エネルギー依存性. 第6回半導体の放射線照射効果研究会, 日本原子力研究開発機構 高崎量子応用研究所 2005年12月9日
  87. 松浦秀治、鏡原聡、伊藤裕司、大島武、伊藤久義. Al-doped 4H-SiCエピ膜中の深いアクセプタ準位の同定. 第66回応用物理学会学術講演会、2005年秋, 徳島大学 2005年9月7日-10日
  88. H. Matsuura,S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and H. Itoh. Relationship between defects induced by irradiation and reduction of hole concentration in Al-doped 4H-SiC. The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), Awaji Island, July 24-29, 2005
  89. H. Matsuura, S. Kagamihara, Y. Itoh, T. Ohshima, and H. Itoh. Mechanisms of reduction in hole concetration in Al-doped 4H-SiC by electron irradiation. International Conference on Materials for Advanced TEchnologies (ICMAT2005), Singapore, July 3-8, 2005
  90. 仲野雅都、 飯田時由、松浦秀治. ZnOを用いた色素増感太陽電池の短絡電流向上に関する研究 (G7-06). 平成15年度電気関係学会関西支部連合大会, 同志社大学 京田辺キャンパス 2004年11月27日
  91. 松浦秀治. ホール効果測定からのSiC中の不純物評価. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第13回講演会, 名古屋国際会議場 2004年10月21日ー22日 (招待講演)
  92. H. Iwata, S. Kagamihara, H. Matsuura, S. Kawakita, T. Ohshima, and T. Kamiya. Change of Majority-Carrier Concentration in p-Type Silicon by 10 MeV Proton Irradiation. 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Tsukuba, Japan, October 6-8, 2004
  93. Hideharu Matsuura. Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited States in Heavily Doped p-type GaN and Wide Bandgap Semiconductors. 2004 Joint International Meeting, Honolulu, Hawaii, USA, October 3-8
  94. Sou Kagamihara, Masahiko Komeda, Hideharu Matsuura, Tetsuo Hatakeyama, Takatoshi Watanabe, Mitsuhiro Kushibe, Takashi Shinohe, and Kazuo Arai. Parameters required to simulate electric characteristics of SiC devices. 31st International Symposium on Compound Semiconductors, Seoul, Korea, September 12-16, 2004
  95. Hideharu Matsuura. Enhancement of Ionization Efficiency of Acceptors by Their Excited States in Heavily Doped Wide Bandgap Semiconductors. 31st International Symposium on Compound Semiconductors, Seoul, Korea, September 12-16, 2004
  96. 米田雅彦、松浦秀治、鏡原聡、岩田裕史、石原諒平、今井啓太、畠山哲夫、渡辺貴俊、児島一聡、四戸孝、荒井和雄. Al-doped 4H-SiC薄膜のアクセプタ準位と正孔移動度のアクセプタ密度依存性. 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
  97. 中尾良昭、松浦秀治、鏡原聡、来住知美、仁木栄、川北史郎. 陽子線照射におけるCu(In0.7,Ga0.3)Se2薄膜太陽電池中の欠陥の評価第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
  98. 石原諒平、松浦秀治、岩田裕史、鏡原聡、今井啓太、米田雅彦、川北史郎、大島武、神谷富裕. 電子線照射によるp型Siの伝導型反転に関する研究. 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
  99. 岩田裕史、石原諒平、今井啓太、米田雅彦、鏡原聡、石田卓也、松浦秀治、川北史郎. 10 MeVの陽子線を照射したp型Siの多数キャリア密度の変化. 第51回応用物理学会学術講演会、2004年春
  100. 古矢賢志、松浦秀治. 色素増感太陽電池の短絡電流向上に関する研究 (G7-14). 平成15年度電気関係学会関西支部連合大会, 大阪市立大学 杉本キャンパス 2003年11月8日ー9日
  101. 本田健二、古矢賢志、松浦秀治. 酢酸を用いたTiO2ペーストによる色素増感太陽電池に関する研究 (G7-13). 平成15年度電気関係学会関西支部連合大会, 大阪市立大学 杉本キャンパス 2003年11月8日ー9日
  102. 鏡原聡、石田卓也、岩田裕史、安蘇浩一、勝矢大輔、安藝達也、松浦秀治、畠山哲夫、渡邊貴俊、児島一聡、櫛部光弘、今井聖支、四戸孝、鈴木誉也、田中知行、荒井和雄. N-doped 4H-SiCにおける温度依存性を考慮した電子移動度及びドナー準位のドナー密度依存性. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第12回講演会, 奈良文化会館 2003年11月6日ー7日
  103. Hideharu Matsuura, Koichi Aso, So Kagamihara, Hirofumi Iwata, Takuya Ishida and K. Nishikawa. Reduction in Al Acceptor Density by Electron Irradiation in Al-Doped 4H-SiC. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003
  104. Y. Nakao, Y. Sekimoto and H. Matsuura. Formation and Characterization of Ferroelectric Sr2Nb2O7 Thin Film for MFMIS-FET Type Non-Volatile Memory. The 7th International Conference on Properties and Applications of Dielectric Materials, Nagoya, Japan, June 1-5, 2003
  105. H. Matsuura, D. Katsuya, T. Ishida, S. Kagamihara, K. Aso, H. Iwata, T. Aki, S-W. Kim, T. Shibata and T. Suzuki. Influence of Excited States of Mg Acceptor on Hole Concentration in GaN. The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, Japan, May 25-30, 2003
  106. 鏡原聡、安蘇浩一、岩田裕史、勝矢大輔、安藝達也、石田卓也、松浦秀治、畠山哲夫、渡辺貴俊、児島一聡、櫛部光弘、今井聖支、四戸孝、鈴木誉也、田中知行、荒井和雄. ホール効果測定によるN-doped 4H-SiC薄膜における不純物密度依存性に関する研究. 第50回応用物理学会学術講演会、2003年春
  107. 岩田裕史、安藝達也、安蘇浩一、鏡原聡、勝矢大輔、石田卓也、松浦秀治、松田純夫. ホール効果測定による10 MeVの陽子線を照射したp形Siの評価. 第50回応用物理学会学術講演会、2003年春
  108. 安蘇浩一、松浦秀治、石田卓也、西川和弘、鏡原聡、岩田裕史、勝矢大輔、安藝達也、椙山浩一、福永展也、永田敬. 電子線照射によるAl-doped 4H-SiC中の正孔密度への影響. 第50回応用物理学会学術講演会、2003年春
  109. 中尾良昭、関本安泰、松浦秀治. MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2002-220)2002年12月25日
  110. 石田卓也、黒田知宏、松浦秀治. 多結晶Si太陽電池用ウェハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存. 電子情報通信学会 信学技報(SDM2002-211)2002年12月25日
  111. H. Matsuura, T. Ishida, Y. Kirihataya, O. Anzawa and S. Matsuda. Annealing Behavior of DOnors Formed by High-Fluence Irradiation of High-Energy Particles in p-type Silicon. 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, Takasaki, Japan, October 9-11, 2002
  112. 石田卓也、西川和弘、福永展也、黒田知宏、松浦秀治. 第63回応用物理学会学術講演会、2002年秋
  113. H. Matsuura, T. Ishida, K. Nishikawa, N. Fukunaga and T. Kuroda. Relationship between Abnormal Temperature Dependence of Hole Concentration in p-type Polycrystalline Si Wafers and Efficiency of Solar Cell. International Conference on Polycrysatlline Semiconductors 2002, Nara, Japan, September 10-14, 2002
  114. H. Matsuura, K. Sugiyama, K. Nishikawa, T. Nagata and N. Fukunaga. Real Relationship between Acceptor density and Hole COncentration in AL-implanted 4H-SiC. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2002, Linkoping, Sweden, September 1-5, 2002
  115. 西川和弘、福永展也、松浦秀治、瀬川昌治、須﨑渉.ホール効果測定によるMBE法で成長させたInGaSb及びAlGaSb中の不純物密度と準位の評価. 第49回応用物理学関係連合講演会、2002年春
  116. 椙山浩一、西川和弘、上野裕貴、北川修久、水越猛夫、立川美幸、永田敬、西川明宏、福永展也、松浦秀治. ホール効果測定によるAl-doped 4H-SiC中のアクセプタ密度と準位の評価. 第49回応用物理学関係連合講演会、2002年春
  117. Hideharu Matsuura. Influence of Excited States of Deep Acceptors on Hole Concentration in SiC. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001
  118. H. Matsuura, K. Nishikawa, K. Morita, M. Segawa and W. Susaki. Determination of Densities and Energy Levels of Impurities and Traps in Semiconductor by a New Method Based on Hall-Effect Measurements. 20th Electronic Materials Symposium, Nara, Japan, June 20-22, 2001
  119. 関本安泰、長谷貴志、内倉政治、松浦秀治、清水勝. 放電電流過渡分光法を用いた強誘電体PZT薄膜のトラップ評価. 平成12年度電気関係学会関西支部連合大会
  120. Hideharu Matsuura, Yasuichi Masuda, Yi Chen, and Shigehiro Nishino. Donor Densities and Donor Levels in 3C-SiC Determined by a New Method Based on Hall-Effect Measurements. Third European Conference on Silicon Carbide and Related Materials Conference Center Kloster Banz, Germany, September 3-7, 2000
  121. H. Matsuura, Y. Masuda, Y. Chen, T. Kimoto, S. Nishino and H. Matsunami. Donor Densities and Donor Levels in SiC Uniquely Determined by a New Method Based on Hall-Effect Measurements. 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology, Nara, Japan, May 31-June 2, 2000
  122. 西川和弘、水越猛夫、上野裕貴、立川美幸、西川明宏、松浦秀治、久松正、安沢修、松田純夫. 10 MeV陽子線照射でシリコン中に生成されたトラップの評価-基板依存性-. 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
  123. 水越猛夫、西川和弘、上野裕貴、立川美幸、西川明宏、松浦秀治、久松正、安沢修、松田純夫. 10 MeV陽子線照射によるp型Si中の正孔密度の減少の基板依存性. 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
  124. 関本安泰、長谷貴志、松浦秀治、清水勝. PZT薄膜におけるキャリアの放出割合の温度依存性. 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
  125. 長谷貴志、関本安泰、松浦秀治. 放電電流過渡分光法を用いた強誘電体薄膜中からのキャリア放出の評価方法. 第47回応用物理学関係連合講演会、2000年春
  126. 松浦秀治、増田泰一、陳義、西野茂弘. Si2(CH3)6を用いた3C-SiC中のドナー準位の評価. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第8回講演会 つくば国際会議場 1999年12月16日ー17日
  127. Y. Masuda, Y. Chen, H. Matsuura, H. Harima and S. Nishino. Electrical properties od 3C-SiC grown on Si by CVD method using Si2(CH3)6. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 1999, North Carolina, U.S.A., 1999;
  128. 増田泰一、陳 義、松浦秀治、播磨 弘、西野茂弘. HMDSを用いた3C-SiCのCVD成長とその電気的特性 (II). 第60回応用物理学会学術講演会、1999年秋
  129. 松浦秀治、増田泰一、西野茂弘. 第60回応用物理学会学術講演会、1999年秋
  130. 長谷貴志、松浦秀治. 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価. 第46回応用物理学関係連合講演会、1999年春
  131. 松浦秀治、黒田雅世、平野善信、木本恒暢、松波弘之. 窒素添加4H SiCのドナー準位の評価-ホール効果測定を用いた新しい評価方法-第46回応用物理学関係連合講演会、1999年春
  132. 長谷貴志、松浦秀治. 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価. 電子情報通信学会 信学技報(SDM98-180)1998年12月
  133. 松浦秀治、木本恒暢、松波弘之. 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価法によるSiC中のドナー評価. 電子情報通信学会 信学技報(SDM98-169) 1998年12月
  134. 松浦秀治、内田佳亜、久松正、松田純夫. ホール測定によるトラップの評価(陽子線照射でシリコン中に生成したトラップ). 第45回応用物理学関係連合講演会、1998年春
  135. 園井量英、松浦秀治. Carrier密度の温度依存性からの半導体中の不純物準位の評価. 第43回応用物理学関係連合講演会、1996年春
  136. 松浦秀治、園井量英. 二種類以上のドーパントを含む半導体の評価方法. 第43回応用物理学関係連合講演会、1996年春
  137. 松浦秀治、吉本昌広、松波弘之. シリコン窒化膜の浅いトラップ密度と漏れ電流との関係. 第42回応用物理学関係連合講演会、1995年春
  138. 松浦秀治、吉本昌広、松波弘之. 絶縁膜中トラップの新しい評価方法:放電電流過渡分光法. 第42回応用物理学関係連合講演会、1995年春
  139. 松浦秀治、吉本昌広、松波弘之. 光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法. 電子情報通信学会 信学技報(SDM94-147)、1994年11月
  140. 松浦秀治、鈴木淳、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、松田彰久. μc-Si:Hにおける異常な電流ー電圧特性. 第50回応用物理学会学術講演会、1989年秋
  141. Hideharu Matsuura. Optically and thermally induced reversible changes of midgap states in undoped a-Si:H. 13th Int. Conf. Amorphous & Liquid Semiconductors, Asheville N.C.,1989
  142. 松浦秀治、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、松田彰久. 光照射と急冷によるa-Si:Hのmidgap準位の変化. 第36回応用物理学関係連合講演会、1989年春
  143. Hideharu Matsuura. Properties of amorphous silicon/crystalline silicon hetero-junctions. Int. Topical Conf. Hydrogenated Amorphous Silicon Devices and Technology, Yorktown Heights N.Y., 1988 (Invited)
  144. 松浦秀治、松田彰久、大串秀世、秦信宏、大枝秀俊、田中一宜. アニール中のa-Si:H膜の局在準位密度の変化. 第49回応用物理学会学術講演会、1988年秋
  145. 松浦秀治、Z E. Smith、松田彰久、田中光浩、上田仁、横山誠一郎、秦信宏、大枝秀俊、大串秀世、田中一宜. Undoped a-SiC:Hの局在準位密度の評価. 第49回応用物理学会学術講演会、1988年秋
  146. Hideharu Matsuura and Kazunobu Tanaka. The density-of-state distribution in undoped a-Si:H and a-SiGe:H determined by heterojunctions with c-Si. Materials Research Society Symposium, Reno Nev., 1988
  147. 松浦秀治、大串秀世、松田彰久、秦信宏、大枝秀俊、田中一宜. Undoped a-Si:Hとa-SiGe:Hの局在準位密度の評価(II). 第35回応用物理学関係連合講演会、1988年春
  148. 松浦秀治、Z E. Smith、松田彰久、大串秀世、横山誠一郎、田中光浩、上田仁、秦信宏、大枝秀俊、田中一宜. Undoped a-Si:Hとa-SiGe:Hの局在準位密度の評価(I). 第35回応用物理学関係連合講演会、1988年春
  149. Hideharu Matsuura, Hideyo Okushi, and Kazunobu Tanaka. Schottky barrier junctions of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys. 12th Int. Conf. Amorphous & Liquid Semiconductors, Prague, 1987
  150. 松浦秀治、大串秀世、松田彰久、蛯名博志、星野巽、今西雄一郎、片岡春樹、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜. a-SiGe:H膜のICTS信号. 第47回応用物理学会学術講演会、1986年秋
  151. 松浦秀治、松田彰久、今西雄一郎、片岡春樹、大串秀世、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜. Au/a-SiGe:H Schottky barrier素子の電流ー電圧特性. 第47回応用物理学会学術講演会、1986年秋
  152. 松浦秀治、大串秀世、田中一宜. a-Si:H/c-Siヘテロ接合の電気的特性. 電子通信学会研究会(SSD86-27)、1986年
  153. 松浦秀治、松田彰久、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、大串秀世、田中一宜. a-Si:H膜へのボロンのドーピング機構. 第46回応用物理学会学術講演会、1985年秋
  154. 松浦秀治、松田彰久、大串秀世、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜、田中秀夫、宮地賢司、加賀隆生. pin a-Si:H素子の電流ー電圧特性のi層膜依存. 第45回応用物理学会学術講演会、1984年秋
  155. 松浦秀治、松田彰久、大串秀世、奥野哲啓、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜. B-doped a-Si:Hのショットキー接合および単結晶とのヘテロ接合. 第44回応用物理学会学術講演会、1983年秋
  156. Hideharu Matsuura, Tetsuhiro Okuno, Hideyo Okushi, Nobuhiro Hata, Satoshi Yamasaki, Hidetoshi Oheda, Akihisa Matsuda, and Kazunobu Tanaka. Electrical properties of n--p amorphous-crystalline silicon heterojunctions. 15th Conf. Solid State Devices & Materials, Tokyo, 1983
  157. 松浦秀治、奥野哲啓、大串秀世、松田彰久、戸田誠、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜. undoped a-Si:H/p c-Siヘテロ接合の電気的特性. 第30回応用物理学関係連合講演会、1983年春
  158. 奥野哲啓、松浦秀治、大串秀世、松田彰久、戸田誠、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、田中一宜. Mg/a-Si:H接合特性(undoped膜への直接オーミック電極). 第30回応用物理学関係連合講演会、1983年春
  159. 松浦秀治、大串秀世、秦信宏、山崎聡、大枝秀俊、松田彰久、田中一宜. アモルファス半導体を用いたSchottky barrierのC-V特性の理論. 第30回応用物理学関係連合講演会、1983年春
  160. Hideharu Matsuura, Hisao Fujii, Hitoshi Takai, and Hiroyuki Matsunami. Characteristics of silicon inversion layer solar cells. 3rd Photovoltaic Science and Engineering Conf., Kyoto, 1982
  161. 松浦秀治、藤井久雄、松波弘之. MIS反転型太陽電池. 第42回応用物理学会学術講演会、1981年秋
  162. Hideharu Matsuura, Shigehiro Nishino, and Hiroyuki Matsunami. Fundamental properties of MIS solar cells using Mg-p Si system. 2nd Photovoltaic Science and Engineering Conf., Tokyo, 1980


  • 外部資金の獲得、特許・著作権等の知財権の取得など
  • 外部資金
  1. 戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)「次世代パワーエレクトロニクス/SiCに関する拠点型共通基盤技術開発に関する開発 /SiC 次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究開発/次世代SiCウェハの技術開発/SiCにおける伝導度発現機構解明」新エネルギー・産業技術総合開発機構(2014年度~2018年度)
  2. 科学研究費補助金(基盤研究(C))「有機半導体/無機半導体ヘテロ接合及び有機半導体へテロ接合の研究」独立行政法人日本学術振興会 (2014年度~2016年度)
  3. 研究成果展開事業(先端計測分析技術・機器開発プログラム)「複雑形状食品の放射能検査装置の開発」独立行政法人科学技術振興機構 (2013年10月~2015年度)
  4. 研究成果最適展開支援事業 フィージビリティスタディ 【FS】ステージ 「半絶縁性次世代半導体中の電気的に活性な欠陥評価方法の開発」 独立行政法人科学技術振興機構 (2010年度)
  5. 科学研究費補助金(基盤研究(C)) 「微量公害物質検出用室温動作・高エネルギーX線検出素子の研究」 独立行政法人日本学術振興会 (2006年度~2007年度)
  6. 研究成果展開事業(先端科学測定技術・機器開発プログラム)「大気浮遊粒子用蛍光X線分析装置の開発」 独立行政法人科学技術振興機構 (2004年度~2008年度)
  7. 学術フロンティア推進事業 「ナノ構造・界面を利用した新機能材料の開発」 文部科学省 (2003年度~2007年度)
  8. 超低損失電力素子技術開発・基盤技術研究 「SiCデバイスの電気的特性とトラップ評価に関する研究」 (財)新機能素子研究開発協会、新エネルギー・産業技術総合開発機構 (1999年~2002年)
  9. 学術フロンティア推進事業 「界面領域新機能材料の研究」 文部省 (1998年度~2002年度)
  10. 新技術コンセプト・モデル化推進事業 「可搬型蛍光X線分析装置」 科学技術振興事業団 (1997年3月1日~2000年2月29日)
  • 共同研究
  1. 「PZT薄膜・デバイスの新規評価手法の開発」パナソニック株式会社オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社(2016年度)
  • 特許
  1. Hideharu Matsuura, D. Hullinger, K. Taniguchi, T. Utaka (2010). Variable Ring Width SDD, U.S. Patent 8,314,468 B2 (Nov. 20, 2012).
  2. Hideharu Matsuura (2009). 放射線検出器 (特願2009-157627, 特開2011-014718), Radiation Detection Devices (United States Patent Application Serial No. 12/575,939)
  3. Hideharu Matsuura (2007). Radiation Detection Apparatus (PCT/JP2007/65728), 放射線検出装置 (特願2008-558134, 特開2009-022378), US Patent Application 20100163740.
  4. Hideharu Matsuura (2007). Silicon Carbide for Radiation Detection Devices and Radiation Detection Methods (PCT/JP2007/65727), 放射線検出素子用のシリコンカーバイド及び放射線検出方法 (特願2008-558133, 特開2009-022377)
  5. 松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠 (2007). 放射線検出器 (特願2007-098037, 特開2008-258348), Radiation Detection Devices (United States Patent Application Serial No. 61/185,754)
  6. 松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠 (2006). 放射線検出器 (特願2006-336727, 特開2008-153256), Radiation Detection Devices (United States Patent Application Serial No. 61/185,679)
  7. 松浦秀治, 西田克彦, 谷口一雄 (1997). 半導体装置 (特許第3883678)
  8. 松浦秀治, 田中一宜, 松田彰久, 大串秀世, 大枝秀俊, 山崎聡, 秦信宏 (1984). アモルファス光電変換素子(特許第1627938), Amorphous Photovoltaic Solar Cell(US Patent 4532373)
  9. 松浦秀治, 大串秀世, 松田彰久, 田中一宜, 奥野哲啓 (1983). 半導体にオーミックコンタクトする電極(特許第1870296)


  • 学会等における活動(学術集会の組織、雑誌編集など)
  1. 公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回講演会(2015年11月9日・10日、大阪市)実行委員会委員
  2. 国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013」(2013年、宮崎)出版委員
  3. 社団法人応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第21回講演会(2012年11月19日・20日、大阪市)事務局幹事
  4. 社団法人応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会(2009年12月17日・18日、神戸市)事務局幹事
  5. 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第3回個別討論会「シミュレーション技術のSiCへの応用」(2008年7月25日、大阪電気通信大学)主催
  6. 国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007」(2007年10月14日から19日、大津市)現地実行委員
  7. 応用物理学会 関西支部「世界物理年企画 リフレッシュ理科教室~科学が拓く新しい暮らし~」(2005年8月22日、大阪電気通信大学)主催
  8. 国際会議「Ultra-Low-Loss Power Device Technology (UPD2000)」(2000年5月31日から6月2日、奈良市)委員
  • その他
  1. 松浦秀治 (2010). 東陽テクニカ 物性計測セミナー「Hall効果測定によるワイドギャップ半導体中の不純物・欠陥の評価(過渡容量法と過渡電流法も含めて)」東陽テクニカ東京本店 2010年12月10日
  2. 松浦秀治 (2010). 東陽テクニカ 物性計測セミナー「Hall効果測定によるワイドギャップ半導体中の不純物・欠陥の評価(過渡容量法と過渡電流法も含めて)」東陽テクニカ大阪支店 2010年5月11日
  3. 松浦秀治 (2007). Hall測定によるワイドギャップ半導体中の不純物の評価, 第12回結晶工学セミナー(結晶工学スクール応用編)「電気・光学測定技術の基礎と応用」-ワイドバンドギャップ半導体編- 学習院創立百周年記念会館 2007年10月4日

松浦 秀治(まつうら ひではる)MATSUURA Hideharu

  • 所属部署
    工学部 電気電子工学科 教授
    大学院 工学研究科 電子通信工学専攻 教授
  • 地域社会における貢献
  1. 寝屋川国際婦人クラブ チャリティ講演会(東日本大震災被災者支援募金)
     「環境と太陽エネルギー」2011年9月10日 寝屋川市民会館
  2. 寝屋川市交通安全都市推進委員会 委員(1999年度~2003年度)


  • 公的機関等における委員・役員など
  1. 宇宙航空研究開発機構「宇宙用太陽電池の耐放射線強化技術に関する検討委員会」委員(2003年度~2014年度)
  2. 宇宙開発事業団「MDS-1搭載TSCの評価技術に関する検討委員会」委員(2002年8月~2003年2月)
  3. 宇宙開発事業団「平成14年度 宇宙用太陽電池の放射線強化技術に関する検討委員会」委員(2002年度)
  4. 宇宙開発事業団「平成13年度 宇宙用太陽電池の放射線強化技術に関する検討委員」委員(2001年度)
  5. 宇宙開発事業団「電子部品・太陽電池の耐放射線性強化技術に関する検討委員会(太陽電池)」委員(2000年度)
  6. 通商産業省工業技術院電子技術総合研究所 平成11年度流動研究員 (1099年度)
  7. 宇宙開発事業団「電子部品の耐放射線性強化技術に関する検討委員会(太陽電池)」 副委員長(1999年度)
  8. 宇宙開発事業団「太陽電池の耐放射線性強化技術の検討委員会」副委員長(1998年度)
  9. 宇宙開発事業団「太陽電池の放射線劣化メカニズムの検討(その2)・(その3)委員会」副委員長(1996年度・1997年度)
  10. 宇宙開発事業団「地上用太陽電池の宇宙実証に係る検討委員会」委員(1997年11月6日~2000年3月10日)


  • 学会等の財団法人・社団法人における組織運営
  1. 応用物理学会 先進パワー半導体研究会 幹事(2013年度~現在)
  2. 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 庶務幹事(2007年度・2008年度・2009年度)
  3. 応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 幹事(2007年度~2012年度)
  4. 応用物理学会 関西支部 幹事(2005年度)「リフレッシュ理科教室」担当
  5. 応用物理学会 関西支部 幹事(2004年度)「講演会」担当
  6. 日本真空協会関西支部 幹事(1997年度・1998年度)


  • 国内外における災害救助活動、NPO 活動など


  • その他

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